Фторопласт листовой 25х70х150 мм Ф4ПН

Электрическая прочность фторопласта Ф-4 для листа толщиной 1 мм при частоте 50 Гц составляет не менее 20-25 кВ/мм, и может достигать значений до 50-60 кВ/мм в зависимости от конкретных условий и качества материала. Это подтверждает его статус одного из лучших твердых диэлектриков.

Фторопласт Ф-4 листовой демонстрирует выдающуюся стойкость к атмосферному старению. При хранении на открытом воздухе в течение 5 лет и более он практически не изменяет своих основных физико-механических свойств. Материал устойчив к воздействию ультрафиолетового излучения, озона, влаги и перепадов температур.

Фторопласт Ф-4 листовой эффективно применяется в качестве уплотнительного материала во фланцевых соединениях при давлении до 6.3 МПа при условии правильного выбора толщины прокладки и обеспечения необходимого момента затяжки. Важно учитывать свойство хладотекучести фторопласта; для более высоких давлений или температур могут потребоваться армированные или композитные прокладки.

Прочность на разрыв листового фторопласта Ф-4 существенно зависит от температуры. При понижении температуры, вплоть до криогенных значений, прочность материала возрастает. С повышением температуры прочность снижается: если при 20°С она составляет 15-35 МПа, то при 250°С падает до 5-7 МПа.

Фторопласт Ф-4 листовой демонстрирует исключительную стойкость к озону. Продолжительное воздействие озона, даже в высоких концентрациях (например, 10 мг/м³), не приводит к его деструкции или изменению физико-механических характеристик.

Минимальная толщина листового фторопласта Ф-4, получаемого методом прессования, обычно составляет 0.5-1.0 мм. Более тонкие пленки (толщиной от нескольких микрометров) изготавливаются методами строгания из прессованных заготовок или каландрованием суспензионного фторопласта.

В лабораторной практике листы фторопласта Ф-4 находят разнообразное нестандартное применение, например, в качестве химически стойких подложек для проведения реакций, изготовления крышек для лабораторной посуды, элементов вакуумных систем, вкладышей в химические реакторы и сосуды, а также для создания антипригарных поверхностей.